STMicroelectronics公司宣布了一項新技術，利用該技術可制造出密度超過30nF/mm2的電容器，這種密度水平是采用基于硅/鈦氧化物或氮化物的傳統工藝的50倍。該技術采用了PZT鈣鈦礦，這是一種組合了鉛、鋯、鈦和氧的材料，并提供了約900的介電常數 —— 是二氧化硅的200倍...

STMicroelectronics公司宣布了一項新技術，利用該技術可制造出密度超過30nF/mm2的電容器，這種密度水平是采用基于硅/鈦氧化物或氮化物的傳統工藝的50倍。該技術采用了PZT鈣鈦礦，這是一種組合了鉛、鋯、鈦和氧的材料，并提供了約900的介電常數 —— 是二氧化硅的200倍...

STMicroelectronics公司宣布了一項新技術，利用該技術可制造出密度超過30nF/mm2的電容器，這種密度水平是采用基于硅/鈦氧化物或氮化物的傳統工藝的50倍。該技術采用了PZT鈣鈦礦，這是一種組合了鉛、鋯、鈦和氧的材料，并提供了約900的介電常數 —— 是二氧化硅的200倍...