STMicroelectronics公司宣布了一項(xiàng)新技術(shù)，利用該技術(shù)可制造出密度超過(guò)30nF/mm2的電容器，這種密度水平是采用基于硅/鈦氧化物或氮化物的傳統(tǒng)工藝的50倍。該技術(shù)采用了PZT鈣鈦礦，這是一種組合了鉛、鋯、鈦和氧的材料，并提供了約900的介電常數(shù) —— 是二氧化硅的200倍...

STMicroelectronics公司宣布了一項(xiàng)新技術(shù)，利用該技術(shù)可制造出密度超過(guò)30nF/mm2的電容器，這種密度水平是采用基于硅/鈦氧化物或氮化物的傳統(tǒng)工藝的50倍。該技術(shù)采用了PZT鈣鈦礦，這是一種組合了鉛、鋯、鈦和氧的材料，并提供了約900的介電常數(shù) —— 是二氧化硅的200倍...

STMicroelectronics公司宣布了一項(xiàng)新技術(shù)，利用該技術(shù)可制造出密度超過(guò)30nF/mm2的電容器，這種密度水平是采用基于硅/鈦氧化物或氮化物的傳統(tǒng)工藝的50倍。該技術(shù)采用了PZT鈣鈦礦，這是一種組合了鉛、鋯、鈦和氧的材料，并提供了約900的介電常數(shù) —— 是二氧化硅的200倍...